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EMG 45-DIO 8E-1N5408

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Description

Technical parameters

Breite: 45 mm
Höhe: 75 mm
Tiefe: 55 mm
Umgebungstemperatur (Betrieb): -20 °C ... 50 °C
Umgebungstemperatur (Lagerung/Transport): -40 °C ... 70 °C
Diodentyp: 1 N 5408
Spitzensperrspannung je Diode: 1000 V
Sperrstrom je Diode: 10 µA
Durchlassspannung je Diode: ca. 0,8 V
Durchlassstrom je Diode: 1,5 A (bei Einzelbelastung)
Einbaulage: beliebig
Montagehinweis: anreihbar ohne Abstand
Anschlussart: Schraubanschluss
Abisolierlänge: 8 mm
Schraubengewinde: M3
Leiterquerschnitt starr: 0,2 mm² ... 4 mm²
Leiterquerschnitt flexibel: 0,2 mm² ... 2,5 mm²
Leiterquerschnitt AWG: 24 ... 12
Normen/Bestimmungen: DIN EN 50178
Verschmutzungsgrad: 2
REACh SVHC: Lead 7439-92-1
China RoHS: Zeitraum für bestimmungsgemäße Verwendung (EFUP): 50 Jahre
eCl@ss 10.0.1: 27371010
eCl@ss 4.0: 27250300
eCl@ss 4.1: 27260800
eCl@ss 5.0: 27371000
eCl@ss 5.1: 27371000
eCl@ss 6.0: 27371000
eCl@ss 7.0: 27371010
eCl@ss 8.0: 27371010
eCl@ss 9.0: 27371010
ETIM 4.0: EC000683
ETIM 5.0: EC000683
ETIM 6.0: EC000683
ETIM 7.0: EC000683
UNSPSC 6.01: 30211506
UNSPSC 7.0901: 39121008
UNSPSC 11: 39121008
UNSPSC 12.01: 39121008
UNSPSC 13.2: 32151504
UNSPSC 18.0: 32151504
UNSPSC 19.0: 32151504
UNSPSC 20.0: 32151504
UNSPSC 21.0: 32151504

Logistic parameters

ECCN:
Country of Origin: DE
EAN:
Weight: 0.092 kg
Length: 0.00 m
Width: 0.00 m
Height: 0.00 m